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奕斯伟面板级封装系统集成电路基地落户成都
2020-08-26

8月26日,成都电子信息产业链现代化攻坚重大项目在京签约,其中,奕斯伟将在成都高新区建设面板级封装系统集成电路基地。该项目具有扇出型、高密度与高带宽SiP、面板级封装三大技术优势,可进一步提高芯片集成度、减小产品尺寸并提升性能,项目总投资约110亿元。


当前,集成电路制造进入后摩尔定律时代,先进制程工艺成本越来越高,技术难度越来越大,以扇出型(Fan-Out)、晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)、倒装芯片球栅阵列封装(FC-BGA)、2.5D/3D封装为代表的先进封装工艺,在实现芯片微型化、集成度进一步提高的同时也在提升芯片性能方面展现了巨大优势。其中,扇出型封装具有外形尺寸小、集成度高、电热学性能好等优势,可作为高密度系统集成封装平台(SiP、2.5D/3D),契合未来产业发展趋势,对比其他封装技术优势突出。


目前,全球各大主流厂商已在此方向持续投资布局,奕斯伟面板级封装系统集成电路基地投产后,将进一步提升我国先进封测技术水平,具有广阔市场空间。

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